产品介绍：
AIXTRON MOCVD（Crius I）
容量：31*2“
典型温度：1200°-1300°，500℃-1100℃温度波动2μm/h
典型应用：氮化镓（GaN）基材料
技术特点：采用Thomas Swan的垂直式近耦合喷淋反应室，喷淋头上的喷孔密度高达15.5个/cm²，确保Ⅲ族源和Ⅴ族源在到达衬底前充分混合；基座采用三组电阻加热，以保证温度均匀。
AIXTRON MOCVD（Crius II）
容量：55*2“
典型温度：1200°-1300°
典型应用：主要用于氮化镓（GaN）基材料的生产，适用于HB-LED、聚光太阳能电池、激光二极管等领域。月产能：4200-4700
生产能力：CRIUS II的生产能力从31 x 2英寸提升为55 x 2英寸或13 x 4英寸，大大提高了HB-LED的生产力并降低成本。
技术特点：CRIUS II采用近耦合喷淋头技术，具有高生产效率和良品率；其密封耦合喷洒反应腔技术使得现有CRIUS用户可以顺利转换成CRIUS II。
AIXTRON MOCVD（G5 HT）
容量：11*4”or 8*6”
典型温度：1200°-1300°
典型应用：氮化镓（GaN）基材料
月产能：3500-4000
应用领域：适用于高亮度LED、氮化镓电子器件（如GaN-on-GaN晶体管）的生产，特别适用于电力电子和RF应用。
生产能力：该系统在600 mbar以上的高压下能以极高的速率完成高质量的氮化镓沉淀，产量超过前一代系统的1倍。
KLA-Tencor Metrology RS55 方阻测试
激光波长：650 nm 和 780 nm
工作温度：室温至500℃
兼容 200mm 及以下尺寸样品
应力测量范围1MPa-4GPa
重复性≤1％
测试结果可生成2D和3D应力图
KLA-Tencor SFS6420 颗粒检测
型号：Surfscan 6420
晶圆尺寸：2"，3"，4"，6"和8"
样品可兼容厚度：可调至12 mm
材料：任何表面散射小于入射光90%的材料
运输：单盒式或平台搬运
缺陷灵敏度：大多数表面，＞0.12μm（取决于表面质量）
照明光源：30 mW 氩离子激光器，波长488 nm
操作软件：Windows 98操作系统
DISCO DAG810 研磨机
工件尺寸：Φ英寸(支持Φ4、5、6、8英寸工作台使用)
磨削方法：晶圆旋转研磨
磨削砂轮：Φ20毫米金刚石砂轮
额定输出（kw）：4.2
额定扭矩 (N・m)：5.9
转速范围 (min-1)：1000 ~ 7000
设备尺寸(宽×深×高)(mm)：600 × 1700 × 1780
设备重量(kg)：约1300
DISCO DFD6340 全自动晶圆切割机
最大工件尺寸：8 inch
X轴：
切割范围：210 mm
切割速度：0.1—600 mm/秒
Y1-Y2轴：
切割范围：210 mm
索引步骤：0.0001 mm
定位精度：0.002/210 mm 以内(1.2、1.8千瓦)
0.002/5 mm 以内（2.2千瓦）
设备尺寸(长×宽x高)：1180x1110xl850 mm
设备重量：1600 Kg
TEL P-8XL 探针台
Tel P-8XL 晶圆探针，8”
SACC，空气冷却夹头
高压热夹头
WAPP测卡清洗板及刷
GPIB板
半自动换卡器
VIP3A CPU板
PTPA精度+/- 4.0μm
PTPA Z精度+/- 5.0μm
墨点检查
重量：870 kg
额定电源输入：交流
Nikon Eclipse L200 检测显微镜
尼康显微镜 Eclipse L200
内置落射照明；内置的电动控制电源；电动的消防水枪控制光照强度控制；光圈光圈控制
对焦机制：横向行程：29mm；粗调：每次旋转 12.7mm（扭矩可调）；精调：每次旋转 0.1mm（1微米递增）
照明：12V/100W 卤素灯光源内置；机动孔径光阑（centerable），固定（带对焦目标）领域的光圈；针孔滑块（可选）可被安装； 4 25 mm过滤器（NCB11/ND4/ND16/GIF）可安装；偏光镜；分析仪
镜筒：L2TT超宽带倾斜三目镜筒（倾斜角度：0-30度），视场：25 mm；光路转换：2路（比例：100:0 / 0:100）
重量：43.75kg
Veeco(Bruker) Dektak 6M 台阶仪
最大台阶高度：1mm
垂直分辨率：0.1nm
扫描长度：50μm 至 30mm
测针力：9.8mN 至 147mN（1mgf 至 15mgf）
最大晶圆直径：150 毫米（6 英寸）
支持小件晶圆： 是
最大厚度：31mm
富临FU-20PEB-RH 电子束蒸发台
蒸发材料：SiO2，Ti2O5等
加工能力：2寸片，102片
蒸镀温度在室温到300℃之间可调
膜厚均匀性3000A ≦3%
波长反射率和透过率可实现≧98%
Shincron MIC-1350CSN DBR(真空镀膜机)
通过Shincron自主设计制造之光学膜厚仪的控制下，镀膜之非均匀性小于±1%使其由Shincron自有的IAD（离子辅助镀膜系统）所提供的离子电流可110uA/cm2，促使分子更分散，膜质更致密且折射率稳定。
TiO2的折射率可达2.4以上
SiO2吸收系数可低于1E-4
ODR镀膜时间（由关腔门至开腔门及含Al镀膜）低于180min
DBR镀膜时间（约15对SiO2/TiO2,由关腔门至开腔门）低于180min
2”晶圆月产能可达5.5万片
Optorun RPD-1000 (ITO/AlN) RPD(反应性等离子源镀膜机)
真空室：1000mm X 1165mm
基板架：870mm
基板架转速：10~30rpm
晶振式膜厚计：6点式水晶传感器
蒸发源：反应性等离子源
设备尺寸：约 4000 mm(W) X 6000 mm(D) X 2800 mm(H)
电源：3相+G, 200V±5%, 约75KVA
水流量：80升/分以上
空气压力：0.5MPa-0.7MPa
重量：约 4000kg
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